中国首个256位分子存储器电路研成

　　近日，中科院微电子所纳米加工与新器件集成技术实验室成功研制出国内首个256位分子存储器电路。分子电路是指在分子层次上构筑的电子器件及其集成电路，是后摩尔时代接替硅基电路最受关注的方向之一，它能够使电子器件的要害尺寸缩小到分子尺度，突破摩尔定律极限，推动集成电路向更小尺寸，更高集成度方向发展。

　　电阻转变型双稳态材料的存储特性在信息存储以及存储器方面有着非常广阔的应用前景，是一种天生的存储材料。具有此类双稳态特性的分子功能材料由于其低成本、低功耗，并且有潜力将特征尺寸缩小到分子尺度等优点，而受到广泛的关注。

　　分子存储器是利用有机分子的电学双稳态特性实现存储功能的，分子存储器要实现高密度存储，就需要有效的降低特征尺寸，即存储点的周期。研究人员在深入研究不同转变机理的各种电阻转变型双稳态材料的基础上，基于一次电子束光刻和二次X射线曝光的具有完全知识产权的混合光刻技术，成功研制了国内首个256位分子存储器电路，该存储器电路的特征尺寸达到250nm，电学性能优异，实验结果表明分子存储器的分子层没有受到损伤。

　　国内首个256位分子存储器电路的研制成功，为我国分子电路的高集成度、高速度和低功耗的实现奠定了重要基础,有力推动了我国分子电子学的发展。本工作得到了国家973项目的支持，中国科学院化学所提供了分子材料的制备生长，二次X射线光刻工艺在国家同步辐射实验室完成。